SEMICONDUCTOR BATTERY
SYSTEMS

半導体/電池製造システム

光通信/光デバイス用 高精度ボンダ DBM200P

超高精度ボンダ/精度:±1μm

DBM200P

光通信モジュール/光デバイス用超高精度ボンダです。
高精度位置決め機構により +/-1μm(3σ)の精度を実現しています。

特徴
  • 超高精度ボンディング(3σ=+/-1μm)
  • 装置本体寸法 1000mm×1000mmで小型、省スペース
  • 微小チップハンドリングに対応
  • 自動キャリブレーション機構により経時的な位置変化をキャンセルし精度を安定させます
  • パラメトリックシーケンス制御により荷重、温度と各々のタイミングを容易にプログラミング制御可能
  • 荷重フィードバック方式による高精度荷重制御に対応
オプション
  • ツールヘッド
  • N2ホットパージ
  • 大型基板サイズ対応 (10mm以上)
仕様
型式
DBM200P
適合品種
VCSEL/LD (Laser Diode)/PD (Photo Diode)/Optical module/Analog device/LED/etc
基板サイズ
□0.5mm~10.0mm
チップサイズ
□0.25mm~5.0mm
チップ供給方式
トレイ供給
チップ加熱方式
パルスヒート
基板加熱方式
パルスヒート
ボンディング荷重
0.05~5N
搭載精度
±1μm (3σ)
装置寸法
1000(W)X1000(D)X1350(H)mm
装置質量
900kg (本体のみ)
製品に関するお問い合わせ

澁谷工業株式会社

メカトロ事業部 精機本部 SCS営業部
〒920-0054 金沢市若宮2-232
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