半導体/電池製造システム
光通信／光デバイス用 高精度ボンダ FDB210P超高精度ボンダ／精度：±0.8µm
FDB210P
光通信モジュール/光デバイス用超高精度ボンダです。
高精度位置決め機構により±0.8µm(3σ）の精度を実現しています。
特徴
- 超高精度ボンディング±0.8µm(3σ)
- 小型、省スペース
- 微小チップハンドリングに対応
- 自動キャリブレーション機構により経時的な位置変化をキャンセルし精度を安定させます
- パラメトリックシーケンス制御により荷重、温度と各々のタイミングを容易にプログラミング制御可能
- 荷重フィードバック方式による高精度荷重制御に対応
- 低酸素濃度雰囲気での実装に対応
仕様
- 型式
- FDB210P
- 適合品種
- VCSEL/LD (Laser Diode)/PD (Photo Diode)/Optical module/LIDAR/etc
- 搭載精度
- ±0.8µm(3σ)
- 基板サイズ
- □0.4mm～10.0mm
- チップサイズ
- □0.25mm～6.0mm
- チップ基板供給方式
- トレイ供給、グリップリング
- チップ加熱方式
- パルスヒート（Max.450°C）
- 基板加熱方式
- パルスヒート（Max.450°C）
- ボンディング荷重
- 0.1～5N
- 装置寸法
- 2000(W)X1400(D)X1700(H)mm
- 装置質量
- 2500kg (本体のみ）
- 製品に関するお問い合わせ
-
澁谷工業株式会社
メカトロ統轄本部 精機本部
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