高精度ボンダ/COB COC SIP 対応/レーザヒータ対応/精度:±2µm
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COB(Chip on Board)対応の高精度ボンダです。加熱用ヒータにLASER HEATERを搭載。従来型のヒータと比べ高速な昇温・冷却が可能です。
レーザ光をガラス越しに対象物に照射することで加熱を行います。
方式としては、ツール材を介在して加熱する員ダイレクト方式とチップ等の部材に直接照射するダイレクト方式があります。
従来のパルスヒータなどと比べ、高速昇温、高速冷却が可能です。また、ヘッドの熱膨張がほとんどなく、高さコントロールなどが容易に行うことができます。
レーザは複数のファイバで構成されているので、照射エリアを選択することで1チップ内を部分的に加熱することが可能です。
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キャプション付き
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キャリブレーション機構では、画像処理位置決めに用いられるカメラの相対位置ズレ量を検出し、それを実装時の位置決めにフィードバックすることで、位置精度の安定を図ります。
画像処理位置決めでは、カメラ自体の位置が移動すると実装位置も移動てしまい位置精度の安定が保てなくなります。カメラは固定され一定位置にあるように見えますが、加熱機構の利用や環境温度の変化による装置の収縮などにより経時的に位置が変化しています。
キャリブレーション機構では、この経時的位置変化を吸収して実装位置精度の安定を図ります。
実際の動作としては、まず同一ターゲットマークにトップカメラとボトムカメラで同時にパターンマッチングを行います。それによって、それぞれのカメラのターゲットマークからの位置差分を検出します。この差分を実装時の位置決めにフィードバックすることでカメラ位置の移動分が吸収されます。
| 型式 | FDB250 |
|---|---|
| 適合品種 | Memory / logic / analog device /TSV chip |
| 基板サイズ | Max.240mmX100mm |
| チップサイズ | Max. □12mm |
| チップ供給方式 | Max. 12インチウエハリング |
| チップ加熱方式 | レーザヒート |
| 基板加熱方式 | コンスタントヒート |
| ボンディング荷重 | 1~100N |
| 搭載精度 | ±2µm(3σ) |
| 装置寸法 | 1985(W)X2470(D)X1950(H)mm (基板ローダ・アンローダ除く) |
| 装置質量 | 2000kg |